h形磁性复合流体抛光工具设计及工艺试验
随着光学、电子、医疗、航空航天、新能源技术等高新产业的快速发展,对深孔零件表面质量的要求不断提高[
近年来,国内外研究学者对深孔零件加工进行了各类研究。何铮、胡凤兰将磁化切削加工方法运用到了深孔零件中,该方法能减小切削力,提高了工件表面质量[
传统抛光方法例如机械抛光、电火花抛光和气囊抛光等,由于工具头形原因,难以满足深孔抛光加工要求[
2 MCF深孔抛光原理
MCF深孔抛光原理如
图1 MCF深孔抛光原理
Fig.1 MCF deep hole polishing principle
3 h形抛光工具的设计
h形抛光工具头包括永磁铁和支撑件,永磁铁采用钕铁硼N45,支撑件采用树脂材料,可以有效防止抛光头内部的磁铁对其本身产生磁化作用。
设计如
图2 四种不同磁铁充磁方式
Fig.2 Four different methods of magnetizing magnets
图3 不同磁铁充磁方式下的孔内壁磁场模分布
Fig.3 Distribution of the magnetic field mode on the inner wall of the hole under different magnetization methods
4 MCF深孔抛光数学建模
4.1 磁场建模
(1) |
其中:为真空磁导率,为该磁铁磁化强度,,Q为耦合张量。
图4 磁场模型
Fig.4 Magnetic field model
如
(2) |
其中:
(3) |
依据
(4) |
(5) |
(6) |
如
如
(7) |
(8) |
又因为,所以二维平面磁场的公式为:
(9) |
(10) |
在yz平面内任意一点磁场强度大小为,通过改变参数和,即可以获得较理想的磁场分布。
4.2 流场建模
MCF流动过程以连续性方程、动量方程与能量方程构建流动模型。MCF的基液为水,有一定的导热作用,但加工区域温度不高,因此忽略能量方程。
连续性方程:
(11) |
纳维斯托克斯(N-S)方程:
(12) |
本构方程:
(13) |
其中:,为MCF屈服前后的粘度,为剪切应变速率,。
本构方程与连续性方程、动量方程构成封闭的方程组,用于求解流体的流动特性。
5 MCF深孔抛光仿真
5.1 抛光工具头磁场仿真
图5 不同磁铁间距下的孔内壁磁场模分布
Fig.5 Distribution of the magnetic field mode on the inner wall of the hole under different magnet spacings
图6 磁铁间距对磁场模的影响
Fig.6 Effect of magnet spacing on magnetic field mode
5.2 MCF深孔抛光磁流场耦合仿真
在求解磁场的基础上耦合流场,采用COMSOL中CFD模块下的“旋转机械,层流”物理接口模拟流场分布。设置h形抛光工具头以1 400 r/min旋转,磁铁水平间距8 mm,深孔孔径是3 mm,高度为10 mm,屈服应力为10 kPa,密度为3 030 kg/m3,流体属性定义为不可压缩层流,深孔内壁上应用无滑移边界条件,细化网格划分后进行求解。
图7 不同抛光转速下的孔内壁速度场分布
Fig.7 Velocity field distribution of hole inner wall under
different polishing speeds
图8 抛光转速对剪切速率和压力的影响
Fig.8 Effect of polishing speed on shear rate and pressure
图9 抛光间隙对剪切速率和压力的影响
Fig.9 Effect of polishing gap on shear rate and pressure
6 MCF抛光试验
6.1 试验装置
自主研制的MCF抛光试验装置如
图10 MCF抛光工具头试验装置
Fig.10 MCF polishing tool head test device
6.2 试验过程
MCF由氧化铝、羰基铁粉、去离子水和α-纤维素组成,成分配比如
成分 | 粒径 | 质量比 |
---|---|---|
氧化铝(Al2O3) | 0.5 μm | 14% |
羰基铁粉 | 300目 | 52% |
去离子水 | 31% | |
α-纤维素 | 3% |
工艺参数 | 数值 |
---|---|
氧化铝磨粒粒径N/μm | 0.5,1.0,2.5,5 |
时间t/min | 5,10,15,20,25,30 |
抛光转速v/(r·min-1) | 1000,1200,1400,1600,1800,2000 |
抛光间隙θ/mm | 0.5,0.75,1,1.25,1.5,1.75 |
磁铁间距d/mm | 3,5,8,10,13 |
7 实验结果与讨论
图11不同抛光方式对表面粗糙度和材料去除率的影响
Fig.11Effect of different polishing methods on surface
roughness and material removal rate
7.1 表面形貌
图12 抛光时间对表面形貌的影响
Fig.12 Effect of polishing time on surface morphology
7.2 表面粗糙度和材料去除率
图13 不同抛光参数下的表面粗糙度和材料去除率
Fig.13 Surface roughness and material removal rate under different polishing parameters
图
当抛光转速低于1 400 r/min时,随着抛光转速增大,剪切力增大,导致材料去除率增大,表面粗糙度减小。在抛光转速为1 400 r/min时,表面粗糙度达到最小值,材料去除率达到最大值,这与抛光转速的仿真结果相吻合。当抛光转速继续增大,流速变大,比较散乱的链状粒子发生剪切稀化现象,反而造成材料去除率减小,表面粗糙度增大。
当抛光间隙小于1 mm时,随着抛光间隙增大,孔内壁所受的磁场强度会增大,剪切力随之增大,导致材料去除率增大,表面粗糙度减小。在抛光间隙为1 mm时,表面粗糙度达到最小值,材料去除率达到最大值。当抛光间隙继续增大,孔内壁所受的磁场强度反而减小,剪切力随之变小,导致材料去除率减小,表面粗糙度增大,这与抛光间隙的仿真结果相吻合。
当磁铁间距小于8 mm时,随着磁铁间距增大,孔内壁所受的磁场强度会增大,剪切力随之变大,导致材料去除率增大,表面粗糙度减小。在抛光间隙为8 mm时,表面粗糙度达到最小值,材料去除率达到最大值。当磁铁间距继续增大,孔内壁受到的磁场强度反而减小,剪切力随之变小,导致材料去除率减小,表面粗糙度增大,这与磁铁间距的仿真结果相吻合。
8 结 论
本文针对深孔内壁光整加工效率与质量较低的技术问题,在针式MCF抛光基础上,提出h形MCF深孔抛光工具及加工方法,为针式MCF抛光工具提供辅助磁场块,有效提高深孔MCF的抛光效率和质量。通过磁场仿真设计了h形抛光工具头的结构,进行了磁流耦合建模,分析MCF流体流动特性;最后进行MCF深孔抛光工艺实验验证。实验结果证明:当h形抛光工具头两磁铁水平间距为8 mm,转速为1 400 r/min,抛光间隙为1 mm,氧化铝磨粒粒径为0.5 μm时,表面粗糙度为173 nm,材料去除率为0.84 mg/min,获得最佳抛光效果,相对于传统针式抛光工具头,采用h形抛光工具头显著改善了抛光效率和质量。
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